「高温超伝導は過剰ドーピングによって、どのように消えるのか？」
山田 和芳 氏
Dec 16, 2003
講演題目： 高温超伝導は過剰ドーピングによって、どのように消えるのか？
講 師 ： 山田 和芳 氏
(東北大学金属材料研究所・教授)
日 時 ： 平成15年12月16日 (火) 16:00-
場 所 ： 北海道大学大学院理学研究科物理学専攻 大学院講義室 理学部2号館（2－11号室）
要 旨 ：
高温超伝導はモット絶縁体にキャリヤーをドープすることで発現する。しかし過剰にドープすると、超伝導は不安定化し、やがて消えてしまう。従来はいわゆる低ドープ領域での超伝導発現が主に研究されてきたが、最近、La2-xSrxCuO4系の、過剰ドープ領域での中性子散乱を行い、スピン揺らぎや、Cu-Oボンド伸縮モードのフォノンの分散のドープ量依存性を研究した。その結果をもとに、超伝導が過剰ドー プにより、どのように消えていくのかを紹介する。
世話人 熊谷 健一
（kumagai@phys.sci.hokudai.ac.jp)
北海道大学大学院理学研究科
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